金融界2024年12月21日音信，国度常识产权局信息自大，北京朔方华创微电子装备有限公司央求一项名为“自瞄准多重图形的变成步调及半导体器件”的专利，公开号CN119153318A，央求日历为2023年6月。

专利节录自大，本央求公开一种自瞄准多重图形的变成步调及半导体器件，波及半导体领域。自瞄准多重图形的变成步调包括：提供具有主义层的半导体衬底，在主义层上变成芯轴层和葬送层；对芯轴层和葬送层进行刻蚀，以变成芯轴掩膜图案；在主义层和芯轴掩膜图案上进行千里积，次序变成第一侧墙层、第二侧墙层和第三侧墙层，第三侧墙层填充第二侧墙层的缺陷；在水广阔进取去除第二侧墙层和第三侧墙层，以走漏第一侧墙层的顶面；去除暴暴露的第二侧墙层；去除水广阔进取的第一侧墙层，以暴暴露葬送层；去除暴暴露的葬送层及芯轴层；对主义层进行刻蚀，在主义层上变成预定图案。本央求措置面前自瞄准双重工艺难以得志小尺寸条件等问题。

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